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1. Temperature and doping dependence of the Raman scattering in 4H-SiC EI SCIE SCOPUS

作者:Peng, Y;Hu, XB;Xu, XG;Chen, XF;Peng, J;Han, JS;Dimitrijev, S

作者机构:[Peng, Yan; Hu, Xiaobo; Xu, Xiangang; Chen, Xiufang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, 27 Shanda Nan Rd, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.; [Peng, Juan] China Univ Min & Technol, Dept Phys, 1 DaXue Rd, Xuzhou 221116, Jiangsu, Peoples R China.; [Han, Jisheng; Dimitrijev, Sima] Griffith Univ, Queensland Micro & Nanotechnol Ctr, Nathan Campus, Nathan, Qld 4111, Australia.

来源:OPTICAL MATERIALS EXPRESS,2016,Vol.6,Issue.9,2725-2733

当年影响因子:2.657

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 0

2. 高质量半绝缘?150 mm 4H-SiC单晶生长研究 知网 CSCD

作者:彭燕;陈秀芳;彭娟;胡小波;徐现刚

外文作者:Peng Yan;Chen Xiufang;Peng Juan;Hu Xiaobo;Xu Xiangang

作者机构:[彭燕]山东大学, 晶体材料国家重点实验

来源:人工晶体学报,2016,Vol.45,Issue.5

关键词:数值模拟; PVT法

资源类型:中文期刊论文

WOS被引频次: 0

3. Infrared transmission and reflectivity measurements of 4H- and 6H-SiC single crystals EI SCOPUS

作者:Cuia Y.X.; Hub X.B.; Xuc X.G.

作者机构:[Cuia, Ying Xin ;Hub, Xiao Bo ;Xuc, Xian Gang ] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China

来源:Materials Science Forum,2015,Vol.821-823,265-268

资源类型:外文期刊论文;外文会议论文

4. Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces EI SCOPUS

作者:Yang X.L.;Yang K.;Chen X.F.;Peng Y.;Hu X.B.;Xu X.G.

作者机构:[Yang, Xiang Long ;Yang, Kun ;Chen, Xiu Fang ;Peng, Yan ;Hu, Xiao Bo ;Xu, Xian Gang ] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China

来源:Materials Science Forum,2015,Vol.821-823,68-72

资源类型:外文期刊论文;外文会议论文

5. Influence of Nitrogen Concentrations on the Lattice Constants and Resistivities of n-Type 4H-SiC Single Crystals SCIE SCOPUS

作者:Cui, YX;Hu, XB;Yang, K;Yang, XL;Xie, XJ;Xiao, LF;Xu, XG

作者机构:[Cui, Yingxin; Hu, Xiaobo; Yang, Kun; Yang, Xianglong; Xie, Xuejian; Xiao, Longfei; Xu, Xiangang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.

来源:CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2015,Vol.15,Issue.7,3131-3136

当年影响因子:4.425

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 2

6. Temperature-Dependent Fluorescence Properties and Diode-Pumped Deep Red Laser Performance of Pr:LiGdF4 Crystal SCIE SCOPUS

作者:Zhang, YX;Wang, SX;Di Lieto, A;Yu, GL;Yu, HH;Zhang, HJ;Tonelli, M;Xu, XG;Wang, JY

作者机构:[Zhang Yu-Xia; Wang Shu-Xian; Yu Guo-Lei; Yu Hao-Hai; Zhang Huai-Jin; Xu Xian-Gang; Wang Ji-Yang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.; [Zhang Yu-Xia; Wang Shu-Xian; Yu Guo-Lei; Yu Hao-Hai; Zhang Huai-Jin; Xu Xian-Gang; Wang Ji-Yang] Shandong Univ, Inst Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.; [Di Lieto, Alberto; Tonelli, Mauro] Univ Pisa, CNR, NEST Ist Nanosci, I-56127 Pisa, Italy.; [Di Lieto, Alberto; Tonelli, Mauro] Univ Pisa, Dipartimento Fis, I-56127 Pisa, Italy.; [Yu Guo-Lei] Inspur Huaguang Optoelect Co Ltd, Jinan 250101, Peoples R China.

来源:CHINESE PHYSICS LETTERS,2015,Vol.32,Issue.5

当年影响因子:0.875

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 1

7. 高质量N 型SiC 单晶生长及其器件应用 知网 维普 CSCD

作者:杨祥龙;杨昆;陈秀芳;彭燕;胡小波;徐现刚;李赟;赵志飞

外文作者:Yang Xianglong;Yang Kun;Chen Xiufang;Peng Yan;Hu Xiaobo;Xu Xiangang;Li Yun;Zhao Zhifei

作者机构:[杨祥龙]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[杨昆]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[陈秀芳]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[彭燕]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡小波]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[徐现刚]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[李赟]中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京, 江苏 210000, 中国.;[赵志飞]中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京, 江苏 210000, 中国.

来源:人工晶体学报,2015,Vol.44,Issue.6

关键词:碳化硅; 物理气相传输; 外延; 肖特基二极管

资源类型:中文期刊论文

WOS被引频次: 0

8. 4H-SiC的强氧化液化学机械抛光 维普 CSCD

作者:Liang Qingrui;Hu Xiaobo;Chen Xiufang;Xu Xiangang;Zong Yanmin;Wang Xijie

外文作者:梁庆瑞;胡小波;陈秀芳;徐现刚;宗艳民;王希杰

作者机构:[梁庆瑞]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国.;[胡小波]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国.;[陈秀芳]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国.;[徐现刚]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国.;[宗艳民]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国.;[王希杰]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国.

来源:人工晶体学报,2015,Vol.44,Issue.7,1741-1747

关键词:碳化硅; 化学机械抛光; 高锰酸钾; 粗糙度; 去除率

资源类型:中文期刊论文

WOS被引频次: 0

9. 高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度 知网 维普 CSCD

作者:崔潆心;徐明升;徐现刚;胡小波

外文作者:Cui Yingxin;Xu Mingsheng;Xu Xiangang;Hu Xiaobo

作者机构:[崔潆心]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[徐明升]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[徐现刚]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡小波]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.

来源:无机材料学报,2015,Vol.30,Issue.10

关键词:氮化镓薄膜; 高分辨X射线衍射; 位错密度

JCR分区:Q3

当年影响因子:0.551

ESI学科:MATERIALS SCIENCE

资源类型:中文期刊论文

WOS被引频次: 0

10. 一种仿碧玺的合成碳硅石宝石及其制备方法 专利

公开(公告)号:CN104018213A

授权公告日:2014-09-03

申请(专利权)人:山东大学

发明(设计)人:付芬;徐现刚;胡小波;陈秀芳;彭燕

作者机构:[付芬;徐现刚;胡小波;陈秀芳;彭燕]山东大学

资源类型:专利

11. 一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法 专利

公开(公告)号:CN103543397A

授权公告日:2014-01-29

申请(专利权)人:山东大学

发明(设计)人:杨祥龙;彭燕;徐现刚;胡小波;杨昆;陈秀芳;崔潆心

作者机构:[杨祥龙;彭燕;徐现刚;胡小波;杨昆;陈秀芳;崔潆心]山东大学

资源类型:专利

12. 一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法 专利

公开(公告)号:CN103590101A

授权公告日:2014-02-19

申请(专利权)人:山东大学

发明(设计)人:陈秀芳;徐现刚;彭燕;胡小波

作者机构:[陈秀芳;徐现刚;彭燕;胡小波]山东大学

资源类型:专利

13. Anomalous Resistivity in Vanadium-Doped Semi-Insulating 4H-SiC Wafers EI SCIE SCOPUS

作者:Yang, XL;Yang, K;Cui, YX;Peng, Y;Chen, XF;Xie, XJ;Hu, XB;Xu, XG

作者机构:[Yang, Xianglong; Yang, Kun; Cui, Yingxin; Peng, Yan; Chen, Xiufang; Xie, Xuejian; Hu, Xiaobo; Xu, Xiangang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.

来源:ACTA METALLURGICA SINICA-ENGLISH LETTERS,2014,Vol.27,Issue.6,1083-1087

当年影响因子:1.188

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 0

14. Characterization of low angle grain boundary in large sapphire crystal grown by the Kyropoulos method EI SCIE SCOPUS

作者:Yu, GJ;Hu, XB;Wang, XJ;Zong, YM;Xu, XG

作者机构:[Yu, Guojian; Hu, Xiaobo; Xu, Xiangang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.; [Yu, Guojian; Wang, Xijie; Zong, Yanmin] SICC Mat Co Ltd, Jinan 250111, Peoples R China.

来源:JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2014,Vol.405,59-63

当年影响因子:1.462

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 0

15. Photoluminescence of Nanoporous GaN Films Prepared by Electrochemical Etching SCIE SCOPUS

作者:Wang, Q;Ji, ZW;Xiao, HD;Lv, HY;Li, JF;Xu, XG;Lv, YJ;Feng, ZH

作者机构:[Wang Qiang; Ji Zi-Wu; Xiao Hong-Di; Lv Hai-Yan; Li Jian-Fei] Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 25010, Peoples R China.; [Wang Qiang] Qilu Univ Technol, Sch Sci, Jinan 250353, Peoples R China.; [Xu Xian-Gang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.; [Lv Yuan-Jie; Feng Zhi-Hong] Hebei Semicond Res Inst, Sci & Technol Applicat Specif Integrated Circuit, Shijiazhuang 050051, Peoples R China.

来源:CHINESE PHYSICS LETTERS,2014,Vol.31,Issue.8

当年影响因子:0.875

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 1

16. Effect of Beveled SiC Substrate on Light Extraction of Flip-Chip Light-Emitting Diodes EI SCIE SCOPUS

作者:Xu, MS;Xu, HY;Shen, Y;Hu, XB;Xu, XG

作者机构:[Xu, Mingsheng; Hu, Xiaobo; Xu, Xiangang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.; [Xu, Huayong; Shen, Yan] Shandong Inspur Huaguang Optoelect Co Ltd, Jinan 250101, Peoples R China.

来源:IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,2014,Vol.26,Issue.10,1053-1056

当年影响因子:1.945

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 6

17. Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells SCIE SCOPUS

作者:Wang, HN;Ji, ZW;Xiao, HD;Wang, MQ;Qu, S;Shen, Y;Xu, XG

作者机构:[Wang, Huining; Ji, Ziwu; Xiao, Hongdi; Wang, Mengqi] Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Peoples R China.; [Qu, Shuang; Shen, Yan; Xu, Xiangang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.

来源:PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES,2014,Vol.59,56-59

当年影响因子:1.904

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 1

18. Initial formation stage and succedent biomineralization of pearls EI SCIE SCOPUS

作者:Fu, F;Tian, LG;Xu, XG;Hu, XB

作者机构:[Fu, Fen; Xu, Xiangang; Hu, Xiaobo] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.; [Tian, Liangguang] Shandong Inst Supervis & Inspect Prod Qual, Jinan 250100, Peoples R China.

来源:MATERIALS CHARACTERIZATION,2014,Vol.90,127-135

当年影响因子:2.383

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 3

19. Wavelength tunable passively Q-switched Yb-doped double-clad fiber laser with graphene grown on SiC EI SCIE SCOPUS

作者:Zhang, LQ;Zhuo, Z;Wei, RS;Wang, YZ;Chen, XF;Xu, XG

作者机构:[Zhang, Liqiang; Zhuo, Zhuang; Wang, Yunzheng] Shandong Univ, Sch Informat Sci & Engn, Jinan 250100, Peoples R China.; [Wei, Rusheng; Chen, Xiufang; Xu, Xiangang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.

来源:CHINESE OPTICS LETTERS,2014,Vol.12,Issue.2

当年影响因子:1.899

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 6

20. Enhanced light extraction in n-GaN-based light-emitting diodes with three-dimensional semi-spherical structure EI SCIE SCOPUS

作者:Yin, HX;Zhu, CR;Shen, Y;Yang, HF;Liu, Z;Gu, CZ;Liu, BL;Xu, XG

作者机构:[Yin, Hong-Xing; Zhu, Chuan-Rui; Yang, Hai-Fang; Liu, Zhe; Gu, Chang-Zhi; Liu, Bao-Li] Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100190, Peoples R China.; [Shen, Yan; Xu, Xian-Gang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.

来源:APPLIED PHYSICS LETTERS,2014,Vol.104,Issue.6

当年影响因子:3.142

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 6

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